Электроника
КАТУШКА ДЛЯ НАМОТКИ МЕТАЛЛОКОРДА
«Катушка для намотки металлокорда» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 21759; авторы изобретения: С.С.Песецкий, С.А.Герасименко, Я.Г.Якимик, С.В.Романюк, В.Н.Коваль; заявитель и патентообладатель: Государственное научное учреждение «Институт механики металлополимерных систем имени В.А.Белого Национальной академии наук Беларуси»).
ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ — В ОБЪЁМНУЮ СБОРКУ
«Способ соединения кристаллов интегральных микросхем в объёмную сборку» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 22229; авторы изобретения: В.П.Бондаренко, А.Л.Долгий, В.А.Лабунов; заявитель и патентообладатель: Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»).
Данное изобретение относится к электронной технике, а именно — к технологии изготовления полупроводниковых приборов и микроэлектронных устройств.
АККУМУЛЯТОРУ ПРОДЛЕНО ЕГО «ВРЕМЯ ЖИЗНИ»
«Электродная пластина свинцово-кислотного аккумулятора» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 22175; авторы изобретения: С.А.Жданок, А.С.Жданок; заявитель и патентообладатель: Общество с ограниченной ответственностью «Передовые исследования и технологии» (BY)).
Изобретение относится к электротехнике, а именно — к «электродным пластинам» «свинцово-кислотных аккумуляторов» и технологии их изготовления.
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ
«Способ изготовления биполярного транзистора со статической индукцией» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 22172; авторы изобретения: С.Н.Гетьман, А.С.Турцевич, Н.Л.Лагунович, Н.И.Леонов; заявитель и патентообладатель: Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» — управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»).
Изобретение относится к микроэлектронике, а именно — к технологии изготовления «транзисторов со статической индукцией» (в частности — биполярных транзисторов). Оно может быть использовано: а) в качестве дискретных элементов; б) в составе интегральных схем.
Авторами отмечается, что к общим недостаткам «транзисторов со статической индукцией» относят: а) медленный перенос носителей заряда в окрестности потенциального барьера; б) обычно очень сложную технологию для формирования «транзисторов со статической индукцией».
ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
«Способ проведения процесса ионной имплантации кремниевой пластины при производстве интегральных микросхем» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 22157; авторы изобретения: В.А.Шикуло, А.М.Кисель, А.Н.Деркач; заявитель и патентообладатель: Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» — управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»).
Изобретение относится к электронной технике, а именно — к процессам «ионной имплантации» кремниевых пластин ионами «бора» и «фосфора». Они используются для создания активных элементов при производстве интегральных микросхем (ИМС).
Пресс-релиз_Philips и American Well объявили о партнерстве в области телемедицины
Уважаемые коллеги, добрый день!
Рады сообщить, что компания Philips и American Well объявили о заключении многолетнего партнерства в области телемедицины. Цель сотрудничества — предоставить доступ к телемедицинским сервисам и дать возможность людям по всему миру самостоятельно следить за своим здоровьем на качественно новом уровне. В рамках технологического партнерства телемедицинские сервисы American Well будут интегрированы в ряд инновационных решений Philips для всех этапов континуума здоровья — от ведения здорового образа жизни, профилактики и ранней диагностики до лечения и ухода на дому.
Два изобретения — одним патентом
Два изобретения запатентованы белорусскими физиками: «Способ сокращения микросекундного импульса мощного СВЧ-излучения до длительности не более 10 нс и устройство для его осуществления» (патент Республики Беларусь на изобретения № 19755, МПК (2006.01): H 03K 5/04, H 01J 25/00; авторы изобретений: Л.Симончик, С.Усачёнок; заявитель и патентообладатель: Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И. Степанова НАН Беларуси»). Изобретение может быть использовано в радиолокационной технике.
Предложенный способ сокращения длительности импульса мощного СВЧ-излучения заключается в следующем. Исходный импульс пропускают через «прямоугольную волноводную секцию», содержащую три «наполненные плазмообразующим газом трубки». В этих трубках формируют «плазменные столбы», образующие «плазменную периодическую структуру с запрещенной зоной пропускания», отсекающую заднюю часть исходного СВЧ-импульса. «Отсечение» осуществляют путем воздействия на плазмообразующий газ исходного СВЧ-излучения, мощность которого превышает пороговую мощность СВЧ-пробоя газа в трубках.
Разработанный учеными способ реализован с помощью также предложенного ими оригинального устройства, конструкция которого приведена в описании изобретения к вышеуказанному патенту.
Для создания мощных лазерных систем
Создан лазер с ламповой накачкой и со световолоконным жгутом, обеспечивающим более высокую эффективность генерации света (патент Республики Беларусь на изобретение № 19568, МПК (2006.01): H 01S 3/067; авторы изобретения: С.Батище, Г.Татур, А.Ермолаев, М.Позняк; заявители и патентообладатели: Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И.Степанова НАН Беларуси», Открытое акционерное общество «Завод «Оптик»).
Изобретение может быть использовано при создании мощных лазерных систем, применяемых, например, для «лазерной очистки» поверхностей художественных произведений и различных индустриальных объектов от загрязнений.
В одном из предложенных авторами вариантов «Волоконно-оптический лазер с ламповой накачкой» содержит: 1) блок питания и управления, 2) лампы накачки с отражателями, 3) глухое и выходное зеркала, 4) активный элемент, выполненный в виде жгута, состоящего из световодных волокон, каждое из которых имеет сердцевину из оптически прозрачного материала, легированного редкоземельным элементом, и нелегированную оптически прозрачную оболочку.
Его отличие от лазера-прототипа заключается в том, что жгут активного элемента выполнен из световодных волокон, переплетенных друг с другом таким образом, чтобы каждое из волокон по меньшей мере один раз выходило на поверхность указанного жгута. Расположен такой жгут в трубке из материала, пропускающего излучение ламповой накачки и селективно поглощающего излучение, приводящее к деградации материала световодных волокон. При этом сердцевина и оболочка каждого световодного волокна выполнены, соответственно, из стекол марки «ГЛС-6» и «С52-1».
Как показали результаты испытаний, за счет лучшего «освечивания» световодных волокон световолоконного жгута обеспечивается повышение энергии и эффективности генерации волоконно-оптического лазера в несколько раз.
Матричный приемник терагерцового излучения
Повышена эффективность преобразования энергии терагерцового излучения (патент Республики Беларусь на изобретение № 19252, МПК (2006.01): G 01J 5/42; авторы изобретения: А.Есман, В.Кулешов, Г.Зыков, В.Залесский; заявитель и патентообладатель: Государственное научное учреждение «Институт физики имени Б.И.Степанова Национальной академии наук Беларуси»).
Изобретение относится к технике измерений интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением и может быть использовано для диагностики в медицине, системах безопасности и т. д.
Повышение эффективности преобразования терагерцового излучения в заявленном устройстве достигается за счет минимизации потерь входного излучения, увеличения «коэффициента сбора» терагерцового излучения, а увеличение помехозащищенности — за счет исключения распространения тепловой энергии через стенки используемых в конструкции матричного приемника терагерцового излучения «ячеек Голея» в соседние ячейки.
Полупроводниковый газовый сенсор
Упрощена конструкция и повышена надежность газового сенсора с диэлектрической мембраной (патент Республики Беларусь на изобретение № 19241, МПК (2006.01): G 01N 27/12; авторы изобретения: И.Врублевский, Е.Чернякова, В.Паркун; заявитель и патентообладатель: Учреждение образования «Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники»).
Изобретение относится к изготовлению полупроводниковых структур, являющихся элементной базой функциональной микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении газовых сенсоров с тонкой диэлектрической мембраной.