Уникальный полевой транзистор с использованием графена разработали ученые Лаборатории Беркли (США).

Полевой транзистор повсеместно применяется в портативных гаджетах. Для контроля работы носителей заряда он использует электрическое поле и состоит из трех основных компонентов: истока, стока и затвора. Недостатки их кристаллических структур вызывают помехи в движении электронов, тем самым увеличивая скачки напряжения.

Новое устройство толщиной всего шесть атомных слоев использует в качестве истока, стока и затвора графен. Изолятором выступает гексагональный нитрид бора (h-BN), а каналом служит слой молибденита. Каждый слой толщиной в атом механически отслаивается и накладывается на гибкую кремниевую пластину. Слои генерируются отдельно и только потом помещаются на несущую конструкцию, что позволяет свести к минимуму структурные дефекты на молекулярном уровне.

Новинка демонстрирует сверхскорости переключения затвора и неизменную подвижность электронов от истока к стоку при высоком напряжении, сообщает Popmech.ru. В результате могут создаваться сверхбыстрые КМОП-чипы, способные на несколько порядков повысить быстродействие мобильных устройств.