Концепцию графенового транзистора нового типа с ультранизким энергопотреблением и на два порядка более высокой тактовой частотой, чем у лучших современных аналогов, разработали ученые России и Японии. Новинка создана (пока изделие существует лишь в модели) на основе двухслойного графена.

По словам ведущего автора исследования, заведующего лабораторией оптоэлектроники двумерных материалов, преподавателя кафедры общей физики МФТИ Дмитрия Свинцова, графеновый транзистор сможет работать при очень низком напряжении в 0,5 В и на очень высоких частотах — вплоть до 100 ГГц. Это позволит создавать мобильную электронику, сравнимую по вычислительной мощности с суперкомпьютером.

Фантастические возможности графенового транзистора можно реализовать благодаря тому, что двухслойный графен имеет уникальную структуру энергетических зон и является перспективным материалом для низковольтных туннельных переключателей, пишет CNews.ru, ссылаясь на публикацию в Scientific Reports. В таких переключателях электроны не «перепрыгивают» через энергетический барьер, а «просачиваются» через него с помощью квантового эффекта туннелирования. В большинстве полупроводников туннельный ток очень мал, и только двухслойный графен может обеспечить создание туннельных транзисторов. При этом двухслойный графен легко изготовить.