Время жизни зоны расплава на поверхности полупроводниковой мишени в процессе воздействия на нее импульсными высокоэнергетическими направленными потоками плазмы и лазерного излучения можно определить, если воспользоваться изобретением белорусских физиков (патент Республики Беларусь на изобретение № 18209, МПК (2006.01): G 01J 5/00; авторы изобретения: В.Асташинский, Е.Костюкевич, А.Кузьмицкий; заявитель и патентообладатель: Институт физики имени Б.И.Степанова НАН Беларуси).
Как поясняют авторы, время существования расплава — один из ключевых параметров, определяющих эффективность модификации свойств поверхности полупроводника. Знание его помогает составить более полное представление о характере взаимодействия плазмы с полупроводниковой мишенью и оценить эффективность воздействия компрессионного потока. Этот параметр также немаловажен для разработки математической модели, адекватно описывающей динамику формирования границы раздела плазма/расплав. Помимо прочего, знание времени жизни расплава позволяет оценить полноту отжига электроннолучевых или ионных повреждений в полупроводниках.
Важно высказать очень правильное соболезнование близкому человеку, чтобы поддержать его и показать свою заботу.
Проведенными авторами экспериментами по модификации поверхности кремния компрессионными плазменными потоками показано, что заявленный способ с успехом позволяет оценивать время существования расплава на поверхности полупроводниковой мишени в процессе воздействия на нее импульсными высокоэнергетическими направленными потоками.