Материалы

Полиэтилентерефталат для изготовления деталей повышенной точности

Состав для получения стеклонаполненного полиэтилентерефталата изобретен авторским коллективом специалистов из Института механики металлополимерных систем имени В.А.Белого, Института химии новых материалов НАН Беларуси и Научно—технического центра имени Короля Абдулазиза (Саудовская Аравия) (патент Республики Беларусь на изобретение № 17902, МПК (2006.01): C08L67/02; авторы изобретения: Турки Сауд Мохаммед Аль-Сауд (SA), Владимир Агабеков (BY), Солиман Х. Аль—Кховатер(SA), Василий Коваль (BY); Владислав Дубровский (BY), Мохаммед И. Аль—Хусаини (SA); Надежда Иванова (BY); заявители ипатентообладатели: вышеотмеченные учреждения).

Изобретение относится к разработке рецептур и технологии производства полиэфирных композиционных материалов, армированных стекловолокном, и может использоваться на предприятиях, занимающихся производством и переработкой пластмасс. Задачами изобретения являются повышение деформационной теплостойкости и снижение колебаний усадки стеклонаполненного полиэтилентерефталата.

Предложенный состав, включающий полиэтилентерефталат, стекловолокно и стабилизирующую добавку, отличается от своего прототипатем, что дополнительно содержит полибутилентерефталат-политетраметиленоксидный блок-сополимер, а также может дополнительно содержатьнеорганический пигмент, антипирен и нанонаполнитель (являющиеся одновременно нуклеаторами кристаллизации для полиэтилентерефталата), а также концентрат нуклеатора кристаллизации для полипропилена.

Авторами подчеркивается, что данное изобретение легко осуществимо. Для его практической реализации не требуются дополнительные капитальные затраты, поскольку для компаундирования могут использоваться серийные экструзионно-грануляционные линии, применяемые при выпуске термопластичных материалов армированных коротким стекловолокном. Изобретение планируется применить при получениистеклонаполненного полиэтилентерефталата для изготовления деталей повышенной точности, в том числе испытывающих в процессе эксплуатации воздействие высоких (до 230 градусов Цельсия) температур.

Снизили стоимость люминофорных покрытий

Создан новый состав люминофорной композиции, позволяющий улучшить светотехнические характеристики люминофорногопокрытия фотопреобразователя, являющегося элементом конструкции источников белого света на светодиодах (патент Республики Беларусь на изобретение № 18119, МПК (2006.01): H05B33/14, C09K11/80, H01L33/00; авторы изобретения: Н.Дробышевская,Е.Подденежный, А.Бойко, О.Урецкая, Н.Бобкова, Е.Трусова; заявитель и патентообладатель: Гомельский государственный технический университет имени П.О.Сухого). Положительным также является снижение себестоимости отмеченных вышелюминофорных покрытий за счет уменьшения расхода люминесцентного порошка и понижения температуры формирования запатентованной люминофорной композиции.

Изобретение относится к химическим составам люминесцентных материалов, служащих для преобразования излучения синего цвета светодиодов или кристаллов (чипов) в излучение белого цвета.

Предложенная люминофорная композиция содержит: люминофор (наноструктурированный порошок иттрий-алюминиевого граната, легированный церием и прокаленный в атмосфере аргона), легкоплавкое стекло определенного состава, порошок кварцевого стекла со средним размером частиц 250 мкм. Соотношение указанных ингредиентов тщательно подобрано.

Достоинством нового состава люминофорной композиции является повышение интенсивности люминесценции и однородности светового излучения по диаметру светильника.

По мнению авторов, создаваемое с помощью их изобретения люминофорное стеклокерамическое композиционное покрытие является наиболее экономичной и рациональной формой создания удаленных люминесцентных преобразователей, вариантом, пригодным для массового применения.

Оптически стабильные пленочные поляризаторы

Созданы пленочные поляризаторы, способные эффективно поляризовать свет в ближней ультрафиолетовой и видимой областях спектра и пропускать в этих областях более 38 % падающего на них электромагнитного излучения (патент Республики Беларусь на изобретение № 18134, МПК (2006.01): C09B31/065, C09B31/08, C09K19/52, G02B5/30; авторы изобретения: В.Агабеков, Н.Арико, Л.Филиппович, П.Малашко, Шахаб Сиямак Насер, Алхосейни Алмодарресие Хора Мохаммед Али; заявители и патентообладатели: Институт физико-органической химии и Институт химии новых материалов НАН Беларуси). Изобретение может быть использовано в производстве жидкокристаллических устройств отображения информации, находящих применение в электронных калькуляторах и часах, дисплеях и индикаторах на жидких кристаллах, в различных измерительных приборах и других системах.

Изобретение относится к пленочным дихроичным поляризаторам, получаемым на основе гидрофильного полимера и органического красителя.

 Созданные учеными пленочные поляризаторы обладают высокой оптической стабильностью: их спектрально-поляризационные характеристики практически не изменяются при хранении в течении 6 лет в обычных условиях без специальной защиты от воздействия света. Они также показывают высокую светостойкость при их облучении светом ртутной лампы высокого давления.

Пресс-композиция

Повысили ударную прочность и снизили водопоглощение «полимерной пресс-композиции» специалисты из ЗАО «Солигорскийинститут проблем ресурсосбережения с опытным производством» (патент Республики Беларусь на изобретение № 18126, МПК (2006.01): C08L61/10, C08J5/16; авторы изобретения: В.Шаповалов, Е.Лапшина, Ю.Ткаченя, В.Ефимик, Л.Ахмадиева). Изобретение относится к антифрикционным древесно-полимерным материалам и может использоваться в машиностроении для изготовления крупногабаритных подшипниковых и скользящих элементов мало- и средненагруженных узлов трения, работающих на органической смазке.

Предложенная «полимерная пресс-композиция» включает в свой состав термореактивное связующее (фенолформальдегидную смолу резольного типа и этиловый спирт), измельченную древесину (смесь древесной стружки и древесных опилок твердых пород фракции 1-3 мм), углерод технический, церезин-80 и уротропин при тщательно подобранном соотношении всех ингредиентов.

Поясняется, например, что введение в композит углерода технического и уротропина дает усиление взаимодействия древесины и связующего вследствие активации поверхности древесины частицами углерода, а также окончательную фиксацию структуры материала путем дополнительного отверждения связующего. Это позволяет исключить, в конечном итоге, технологическую операцию подпрессовки композита.

Подчеркивается, что только полное сочетание отличительных признаков, изложенных в формуле изобретения, приводит к достижению положительного результата.

Влияние режимов синтеза порошковых мишеней на характеристики прозрачных электропроводящих покрытий

Проведены исследования влияния дисперсности исходного порошка и температуры спекания при изготовлении порошковых мишеней на свойства прозрачных проводящих покрытий.

Прозрачные токопроводящие покрытия (ППО) с использованием окиси индия и оксида цинка давно и широко используются в технике [1]. Oбычно такие покрытия получают путем магнетронного реактивного распыления мишени из металлического сплава. Но такой способ требует точного поддержания парциального давления кислорода в рабочем газе, для чего используются сложные устройства эмиссионного контроля плазмы. Выходом из данной ситуации является использование оксидных керамических мишеней, которые изготавливаются методами порошковой металлургии. Это позволяет прецизионно контролировать состав исходного материала, а также отказаться от контроля состава рабочего газа.

Задачей наших исследований было изучение влияния  дисперсности исходного порошка и температуры спекания на оптические и электрофизические параметры покрытий.

Качество мишеней, а, значит, и характеристики ППО, зависят от температуры спекания порошка.

Было проведено исследование влияния температуры спекания мишени на свойства ППО. Температура спекания составляла 1373, 1473, 1573 и 1673 K при составе мишени In2O3 + 10% SnO2. На рис. 1 приведена зависимость удельного объемного сопротивления (ρs) от температуры спекания мишеней и парциального давления кислорода, а на рис.2 — влияние этих факторов на пропускание в видимой области спектра.

Рис. 1 – Зависимость ρ_s от температуры спекания мишеней In₂O₃ + 10% SnO₂  и парциального давления кислорода

      Рис.2 – Зависимость пропускания в видимой области спектра от температуры спекания   мишеней In₂O₃ + 10% SnO₂ и парциального давления кислорода

Т.о. было установлено, что оптимальная температура спекания находится в пределах 1573–1673 K.

Для исследования влияния температуры спекания мишеней ZnО и температуры подложек были использованы мишени  ZnO (HT) и ZnO (LT), изготовленные при высокой и низкой температурах соответственно. Температура подложек составляла 313 К и 573К. Было получено 4 образца с разным удельным объемным сопротивлением (таблица 1).

Таблица 1– Зависимость ρs от температуры спекания мишеней ZnО и температуры подложек

 Наименьшим показателем пропускания в видимой области спектра обладает образец №1 ZnO (LT).

Таким образом, проведенные исследования позволили определить оптимальные условия синтеза порошковых мишеней из оксидов индия-олова и оксидов цинка.

Список использованных источников:

1. Gurev, H. S. ITO coating of curved polymer substrates / H. S. Gurev, K. Biking // SPIE. – 1994. – Vol. 2262, – №3. –  P. 246–253.

2. Czternastek, H. ZnO thin films prepared by high pressure magnetron sputtering// Opto-electronics review– 2004– № 12.1– P. 49– 52.

Авторы:

Ядренцева Е. В., Телеш Е. В.

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Моделирование электромагнитного поля при индукционном нагреве в зазоре магнитопровода

Целью работы является исследование процесса индукционного нагрева мелкогабаритных деталей в зазоре магнитопровода, выявление основных закономерностей, поиск возможных практических применений явления нагрева деталей в зазоре магнитопровода, а также разработка конструкции индукционного нагревательного  устройства  на магнитопроводе.

Актуальность работы обусловлена насущными потребностями радиоэлектронной промышленности в усовершенствовании морально и физически устаревших комплексов индукционного нагрева металлов. В докладе приводятся результаты моделирования электромагнитного поля при пайке шариков припоя индукционным нагревом в зазоре магнитопровода.

При индукционной пайке деталей ЭМ важно выбрать оптимальные параметры технологического процесса пайки, при этом параметры пайки (скорость, величина нагрева) можно контролировать изменением зазора магнитопровода, частоты генератора тока, положением детали в зазоре магнитопровода и т.д. Моделирование проведено в ПО Comsol Multiphysics 4.3

Установка индукционного нагрева представляет собой катушки намотанные на незамкнутом магнитопроводе (рис.1.а).

Измерения проводятся для трех шариков припоя. Один – в центре подложки, второй на удалении 3 мм, и третий на удалении 4 мм от центрального шарика припоя (рис. 1,б).

а                                                                                                         б

Рис. 1. Модель нагрева припоя в зазоре магнитопровода: а –  модель индукционного устройства, б – распределение электромагнитного поля в шарике припоя

Моделирование выполнено для трех частот: 110, 220, 330 кГц. В качестве критерия оптимизации выбрана величина электромагнитных потерь. Результаты моделирования электромагнитных потерь в шарике припоя приведены на рис. 2.

Рис. 2.  Зависимости распределения  электромагнитных потерь  для различных частот в центральном шарике припоя  (1 – 110 кГц, 2 – 220 кГц, 3 –  330 кГц)

 

Таким образом, в результате моделирования  установлено, что индукционный нагрев в зазоре магнитопровода  позволяет проводить эффективную селективную пайку шариков припоя. Изменение частоты оказывает существенное влияние на величину электромагнитных потерь, разница составила до 80% от максимума потерь при 110 кГц. Изменение частоты позволяет контролировать процесс нагрева в широких пределах.

Авторы:

Левин В.Г.

Ланин В. Л. − д. т. н., профессор

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Люминесцентные структуры на основе пористого анодного оксида алюминия для пленочных конвертеров излучения

В данной работе приведены результаты синтеза и анализа различных люминесцентных структур на основе пористого анодного оксида алюминия (ПАОА). Исследованы спектры люминесценции ионов тербия в пленках ксерогелей, сформированных на поверхности ПАОА, а также собственная фотолюминесценция (ФЛ) ПАОА, сформированного в органических электролитах.

Пленочные конвертеры излучения являются качественно новым этапом развития микроэлектроники и приборостроения. Электрохимические и золь-гель процессы удобны для формирования новых многофункциональных материалов из-за их низкой стоимости и возможности эффективного управления химическим составом, структурными и физическими свойствами получаемых материалов.

 

Для исследования собственной ФЛ ПАОА были синтезированы пленки ПАОА толщиной 20 мкм анодированием в растворе 3,6 % щавелевой кислоты. Полученные образцы после сушки отжигали на воздухе при температуре 200  и 500 ºС в течение 30 мин. Для формирования структур, демонстрирующих люминесценцию в зеленой области видимого спектра, были синтезированы образцы ПАОА на кремнии, содержащие в порах легированный тербием оксид алюминия, сформированный в порах анодного оксида алюминия с помощью золь-гель синтеза. Окончательную термообработку образцов с пленками ксерогелей проводили при температуре 1000 ºС в течение 30 мин. Исследованы спектры ФЛ описанных образцов.

Рис. 1 – Спектры ФЛ оксида алюминия: пленок ПАОА, сформированных в растворе щавелевой кислоты (а), отжиг при 200 (a 1), 500 С (а 2); и содержащих тербий образцов ПАОА на кремнии c пленкой ксерогеля Tb₂O₃–Al₂O₃ с концентрацией тербия (масс.%): б 1 – 40 % Tb₂O₃ – 60 % Al₂O₃, б 2 – 50 % Tb₂O₃ – 50 %Al₂O₃, б 3 – 60 % Tb₂O₃ – 40 % Al₂O₃

Образцы, сформированные в водном растворе щавелевой кислоты, имеют интенсивную полосу ФЛ в области 410…550 нм (рис. 1 а), что соответствует собственной люминесценции ПАОА [1, 2] и может быть обусловлено как наличием кислородных вакансий, так и присутствием органических групп в ПАОА. Более высокая интенсивность ФЛ достигнута для образца, отожженного при более высокой температуре. Люминесцентные свойства стабильны в течение продолжительного времени для образцов, сохраняемых при комнатной температуре. Изменение спектра ФЛ микроструктур на основе пленок ПАОА может быть достигнуто при возбуждении примеси, встроенной в матрицу ПАОА. Наряду с собственной люминесценцией ПАОА, наблюдается интенсивная люминесценция трехвалентных ионов лантанидов, введенных осаждением ионов солей или золь-гель методом в каналы пор [3]. Анализ спектров ФЛ (рис. 1 б) и возбуждения ФЛ для образцов ПАОА на кремнии c пленкой ксерогеля Tb₂O₃–Al₂O₃ с различной концентрацией тербия показывают, что наибольшая интенсивность ФЛ достигается для ксерогеля состава 50 % Tb₂O₃–50 % Al₂O₃, уменьшение интенсивности при большей концентрации тербия вызвано, скорее всего, концентрационным тушением ФЛ.

Таким образом, выбор режима анодирования и легирующих ионов в ксерогеле позволят изменять в видимом диапазоне область люминесценции получаемых микроструктур. Анодные пленки оксида алюминия, полученные в электролите анодирования, представляющем собой раствор щавелевой кислоты, могут представлять интерес для формирования микроструктур с широкой полосой люминесценции в видимой области. Разрабатываемая технология является перспективной для разработки пленочных конвертеров излучения на основе ПАОА.

Список использованных источников:

1. Wu J. H. et al. // Appl. Phys. А. 2001. V.72. P. 735-737.

2. Du Y. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. V. 74. N 20. P. 2951-2953.

3. Гапоненко Н. В. Пленки, сформированные золь-гель методом на полупроводниках и в мезопористых матрицах. Мн., Бел. навука, 2003.

Авторы:

Хорошко Л. С.

Гапоненко Н. В. − докт. физ.-мат. наук, доцент

Позняк А. А. − канд. физ.-мат. наук, доцент

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники

Антимонид индия, его электрохимический синтез и идентификация

Рассмотрены свойства, методы синтеза, традиционные и новые применения антимонида индия; методом электрохимического синтеза из раствора солей сурьмы и индия получен и идентифицирована фаза кристаллического InSb.

Изготовление наноразмерных структур в настоящее время привлекает огромное внимание благодаря их потенциальному использованию для высокоплотной магнитной памяти, одноэлектронных приборов, наноэлектродов для прямого осаждения наночастиц из газовой фазы и оптических сред [1].

Рис. 1 – Схематическое изображение поперечного сечения Al₂О₃ анодного [3]

Заполнение диэлектрическими, металлическими и полупроводниковыми материалами диэлектрических матриц достаточно широко применяется для формирования различных наноструктур и является одной из разновидностей методов темплатного синтеза. Среди множества пористых материалов весьма перспективной матрицей является пористый анодный оксид алюминия (ПАОА), содержащий массив квазирегулярно расположенных вертикальных пор (рис. 1). Изготовление наноструктур на основе гексагонально-упорядоченного ПАОА в качестве маски или матричной структуры дешевле, чем изготовление подобных структур электронно-лучевой литографией [2]. Кроме того, возможность целенаправленного и воспроизводимого варьирования параметрами такой квазирегулярной ячеисто-пористой структуры в процессе формирования обусловливает пристальный интерес к этому материалу в связи с исключительными перспективами его использования в качестве диэлектрической матрицы (шаблона) для дальнейшего осаждения в неё материалов.

При использовании шаблонов из ПАОА для новых применений в наноструктурах, поры должны быть заполнены проводящим, полупроводящим, оптически активным или иным, необходимым нам, материалом, например, путём электрохимического осаждения. В противоположность другим методам осаждения, таким как химическое осаждение из паровой фазы (CVD), во время электрохимического осаждения рост наностолбиков начинается на дне поры и продолжается по направлению от дна поры к её устью, а морфологическая структура ПАОА и электрические режимы задают геометрические параметры осаждаемых объектов. Свойства полученных наноструктур в значительной мере определяются их геометрией и зависят от природы осаждаемого в матрицу материала. Так, большой интерес представляет получение регулярных одно‑ двух‑ и трёхмерных наноструктурированных массивов и нанопроводов различных материалов, в том числе полупроводников группы А^IIIВ^V и, в частности, антимонида индия – InSb.

Рис. 2 – Трёхмерная модель кристаллической структуры InSb [4]

Антимонид индия – неорганическое бинарное химическое соединение индия и сурьмы, имеет вид тёмно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском [4, 5]. InSb имеет кубическую кристаллическую структуру сфалерита с постоянной решётки 0,647877 нм [6], трёхмерная структурная модель показана на рис. 2. Это соединение выделяется из всей группы полупроводников типа А^IIIВ^V своими уникальными свойствами. Антимонид индия является узкозонным прямозонным полупроводником [4] и имеет малую ширину запрещённой зоны E_g (0,2355 эВ при 0 К, 0,180 эВ при 298 К) [6], благодаря чему его электропроводность уже при температурах много ниже комнатной становится собственной. Энергия ионизации донорных примесей (S, Se,Te) очень мала. Вследствие малого значения E_g InSb относится к вырожденным полупроводникам, особенностью которых является слабая зависимость основных характеристик от температуры [7]. Обладая электронным типом проводимости, характеризуется самой высокой подвижностью носителей заряда (около 78000 см²/(В·с)), а также имеет самую большую длину свободного пробега электронов (до 0,7 мкм при 300 K) среди всех известных полупроводниковых материалов, за исключением, возможно, углеродных материалов (графен, углеродные нанотрубки) [4].

Традиционными способами антимонид индия получают сплавлением In со Sb в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800-850 °С. Очищают зонной плавкой в атмосфере водорода. Монокристаллы выращивают по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) или Н₂ либо в вакууме (~ 50 кПа).   Эпитаксиальные плёнки получают: осаждением из раствора InSb в расплаве In при 350-450 °С; методом молекулярно-лучевой эпитаксии (реакцией молекулярных пучков In и Sb в вакууме 10^‑9 Па с последующим осаждением на нагретую до 400-500 °С подложку); методом вакуумного напыления (пары InSb в вакууме ~ 10^‑4 Па конденсируются на нагретой до 350-400 °С подложке из InSb) [6]; одним из способов получения является также химическое осаждение из газовой фазы с использованием металлорганических соединений (анг. Metalorganic chemical vapour deposition, MOCVD) [4, 8]. Однако все эти способы малопригодны для возможных нанотехнологических применений. В ряде работ сообщается об успешном электрохимическом синтезе антимонида индия из различных электролитов и на катодах различной природы [9, 10]. Особенно привлекают внимание работы, посвящённые осаждению InSb в матрицу ПАОА, например [11, 12]. Следует отметить, что в случае катодного осаждения с использованием ПАОА в качестве шаблона процесс синтеза материала сопряжён с одновременным формированием объектов с заданными с помощью матрицы формой и размерами, а электрохимический синтез полупроводникового соединения протекает в мягких условиях, не требует вакуумирования и достаточно безопасен для окружающей среды.

Антимонид индия применяется для изготовления туннельных диодов: по сравнению с германиевыми диоды из InSb обладают лучшими частотными свойствам при низких температурах. Биполярные транзисторы, работающие на частотах до 85 ГГц, были созданы из антимонида индия в конце 1990‑х. Полевые транзисторы, работающие на частотах более чем в 200 ГГц, появились недавно (Intel/QinetiQ). Полупроводники из антимонида индия также способны работать при напряжении в 0,5 В, что снижает их энергопотребление [4]. Кроме того, антимонид индия используют для изготовления фотоэлементов высокой чувствительности – фотодиодов, фоторезисторов, датчиков Холла, оптических фильтров, термоэлектрических генераторов и холодильников [5, 6]. Электрохимический синтез антимонида индия позволяет формировать полевые нанотразисторы [10], фотонные кристаллы [13] и перспективен для создания других приборов, основанных на квантовых эффектах [11].

Рис. 3 – Оптическое изображение
поверхности образца с осаждённым InSb

Известно, что на стехиометрию осаждённого InSb влияет состав электролита, рН раствора и потенциал осаждения [13]. С целью отработки условий воспроизводимого синтеза нами была осуществлена серия экспериментов по катодному осаждению InSb на ситалловую подложку СТ‑50‑1 с предварительно нанесённым на неё слоем меди, а также в матрицу ПАОА с медными наностолбиками, заранее сформированными на дне пор. Электрические режимы задавали с помощью потенциостата П‑5827 М. Для регистрации электрических параметров осаждения служил цифровой вольтметр В7‑54/2, соединённый с компьютером GPIB интерфейсом посредством многофункциональной PCI карты фирмы National Instruments. Электрохимический синтез антимонида индия осуществляли при температуре 298±2 K в электролите следующего состава: 0,22 M SbCl₃, 0,22 M InCl₃, 0,80 M H₃C₆H₅O₇ (лимонная кислота) и 0,37 M Na₃C₆H₅O₇ (цитрат натрия) при pH = 2. Изображение поверхности осаждённого на медном подслое и высушенного на воздухе при комнатной температуре слоя антимонида индия, полученное с помощью микроскопа MICRO‑200 при увеличении 500×, показано на рис. 3. С помощью установки ДРОН‑3 М с использованием CuK_α излучения и графитового фильтра были получены рентгенодифракционные спектры образцов (рис. 4). Антимонид индия был идентифицирован с помощью базы данных International Centre for Diffraction Data 2002 г. (файл № 89‑3667). Совпадение положений пиков полученных нами образцов и эталона позволяет утверждать, что осаждённый нами антимонид индия обладает кубической решёткой с постоянной a = 6,479 Å. Полученные результаты и интерпретация рентгенодифракционных максимумов также хорошо согласуются с данными работ [10, 11, 13].

 

Рис. 4 – Рентгенограммы образцов:

а) с InSb, осаждённым на подслой меди;
б) с InSb, осаждённым в матрицу ПАОА;
в) фрагмента исходной ситалловой подложки
со слоем меди

Список использованных источников:

1. AlMawlawi, D. Magnetic properties of Fe deposited into anodic aluminum oxide pores as a function of particle size / D. AlMawlawi, N. Coombs, M. Moskovits // Journal of Applied Physics. – 1991. – Vol. 70, Iss. 8. – P. 4421-4425.

2. Nonlithographic Nano-Wire Arrays: Fabrication, Physics, and Device Applications / Dmitri Routkevitch [et al.] // IEEE Transactions on Electron Devices. – 1996. – Vol. 43, № 10. – P. 1646-1657.

3. Bohler, H. Organisch gefärbte anodisch erzeugte Oxidschichten / H. Bohler // Galvanotechnik. – 1991. – Bd. 82, № 9. – S. 3048-3052.

4. Антимонид индия // ВикипедиЯ. Свободная энциклопедия. [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://ru.wikipedia.org/wiki/Антимонид_индия. – Дата доступа: 09.04.2012.

5. ИНДИЯ АНТИМОНИД // АКАДЕМИК. Словари и энциклопедии на Академике. [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://dic.academic.ru/dic.nsf/es/ИНДИЯ. – Дата доступа: 12.04.2012.

6. Мильвидский, М.В. Индия антимонид / М.В. Мильвидский // Химическая энциклопедия. – М.: Советская энциклопедия, 1990. – Т. 2. – 671 с. – С. 452.

Авторы:

Сочнева Е. В.

Позняк А. А. – канд. физ.-мат. наук, доцент

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

Для целей гетерогенного катализа

Эффективное получение химически однородных наночастиц платины и внедрение их в полярные и неполярные растворители с целью формирования каталитически активного коллоида реализовано на практике учеными из институт прикладных физических проблем имени а.н. севченко (патент рб на изобретение № 17249, мпк (2006.01): b01j13/00, b82b1/00, b82b3/00, c01g55/00, c22b11/00; авторы изобретения: в.гончаров, к.козадаев, д.щегрикович; заявитель и патентообладатель: отмеченное выше научно-исследовательское учреждение бгу). изобретение может найти широкое применение в химической промышленности для целей гетерогенного катализа широкого класса реакций. 

Авторами предложен «Способ получения коллоидного раствора платины, содержащего частицы платины со средним размером менее 100 нм», сущность которого заключается в следующем.

Импульсом лазерного излучения высокой плотности мощности (~108-109 Вт/см²) воздействуют на поверхность платиновой мишени, предварительно пропустив его через жидкую «среду внедрения» — полярный или неполярный растворитель. «Среда внедрения» находится в колбе с прозрачным дном. Платиновую мишень фиксируют на расстоянии 3-5 мм от поверхности жидкой «среды внедрения» параллельно ей. Под действием лазерного излучения из платиновой мишени исходят капли конденсированной фазы платины, движущиеся в направлении «среды внедрения», в дальнейшем образуя с ней коллоидный раствор. Наноразмерный характер частиц платины в ее коллоидном растворе подтверждены данными электронной микроскопии.

Отмечается, что для генерации лазерных импульсов наиболее целесообразно использовать серийно производимые неодимовые лазеры (длина волны излучения 1,064 мкм, длительность импульса 20 нс, энергия импульса ~300 мДж) в режиме модуляции добротности.

Пряжа с оригинальными свойствами

Комбинированная токопроводящая пряжа с оригинальными свойствами изобретена в Витебском государственном технологическом университете (патент Республики Беларусь на изобретение № 17292, МПК (2006.01): D02G3/02; авторы изобретения: П.Костин, Е.Замостоцкий, А.Коган; заявитель и патентообладатель: отмеченное выше учреждение образования). Изобретение может быть использовано как токопроводящая пряжа, встроенная в ковровые покрытия для предотвращения накопления статического электричества на их поверхности.

Предложенная комбинированная токопроводящая пряжа состоит из сердечника 1 в виде шерстяной пряжи 2 и обкручивающей его медной микропроволоки 3. Шерстяная пряжа 2 принимает на себя основную нагрузку при разрыве; медная микропроволока (d = 0,05 мм) имеет разрывное удлинение порядка 15 %, что почти в 9 раз выше, чем у стальной микропроволоки (при этом проводимость меди в 10 раз выше, чем стали).

Заявленную комбинированную токопроводящую пряжу получают на машине К-176-2, совместно скручивая сматываемые с питающих паковок шерстяную пряжу и медную микропроволоку.

Механические свойства заявленной комбинированной токопроводящей пряжи: линейная плотность — 480-550 текс, разрывная нагрузка — 2000-2300 сН, разрывное удлинение — 11-13 %.