Реквизиты организации-разработчика, контактное лицо
ГО «НПЦ НАН Беларуси по материаловедению», Лаборатория тугоплавкой
керамики и наноматериалов
220072, г. Минск, ул. П.Бровки, 19
Урбанович В.С.
Тел.: +375
(17) 284-12-55; e-mail: urban@physics.by; urban@ifttp.bas-net.by
Аннотация проекта
Высокотеплопроводный керамический материал «Алнит» на основе нитрида алюминия.
Материал может быть использован в качестве подложек гибридных интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов взамен
высокотоксичной керамики на основе окиси бериллия и для изготовления оснований
резисторов. Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость
использования связующих, а также добавок, активирующих процесс спекания. Это
обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида
алюминия, в 4-6 раз выше, чем у известных материалов из оксида алюминия. В
отличие от оксида бериллия он нетоксичен, обладает низкой стоимостью. Способ
получения материала защищен авторскими свидетельствами и патентами.
Высококачественные натяжные потолки смогут прослужить достаточно долгий период времени. Именно поэтому более популярными становятся декоративные плёнки и эксклюзивные фактуры натяжных потолков, тк их не нужно подкрашивать из года в год.
Описание проекта
Материал может быть изготовлен в виде пластин диаметром 10-26 мм и
толщиной 1-5 мм и имеет следующие характеристики:
Теплопроводность, Вт /
(м.К) — 185
Диэлектрическая проницаемость — 8-12
Уд. электр.
сопротивление, Ом.см — 1013
Плотность, г / см3 —
3.25
Микротвердость, ГПа — 16.5-18
Твердость по Виккерсу, ГПа — 14.
Тип технологии
Технические и экономические преимущества
Способ его получения высокопроизводителен и исключает необходимость
использования связующих и добавок, активирующих процесс спекания. Это
обеспечивает высокую плотность и теплопроводность керамики на основе нитрида
алюминия.
Где была представлена технология
Германия 1998, Ганновер-2005 и др.
Ключевые слова
Спекание под высоким давлением, нитрид алюминия, тугоплавкие
керамические материалы.
Текущая стадия развития
Статус прав интеллектуальной собственности
Патент 1489124, Россия,
МКИ4 С 04 В 35/58. Способ получения высокоплотного материала из
нитрида алюминия. Не поддерживается.
Область применения технологии
Материал может быть использован в качестве подложек гибридных
интегральных микросхем, в качестве держателя СВЧ транзисторов и оснований
резисторов.
Классификатор Европейской сети трансфера технологий IRC
Предпочитаемые регионы
Практический опыт
Практическое использование отдельных образцов.
Влияние на окружающую среду
Не оказывает.
Предлагаемые формы сотрудничества
Условия и ограничения при передаче технологии
Отдельное соглашение по know-how.
Поддержка, предоставляемая при передаче технологии
Консультации.