«Способ изготовления биполярного транзистора со статической индукцией» (краткое описание изобретения к патенту Республики Беларусь № 22172; авторы изобретения: С.Н.Гетьман, А.С.Турцевич, Н.Л.Лагунович, Н.И.Леонов; заявитель и патентообладатель: Открытое акционерное общество «ИНТЕГРАЛ» — управляющая компания холдинга «ИНТЕГРАЛ»).

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно — к технологии изготовления «транзисторов со статической индукцией» (в частности — биполярных транзисторов). Оно может быть использовано: а) в качестве дискретных элементов; б) в составе интегральных схем.

Авторами отмечается, что к общим недостаткам «транзисторов со статической индукцией» относят: а) медленный перенос носителей заряда в окрестности потенциального барьера; б) обычно очень сложную технологию для формирования «транзисторов со статической индукцией».

Задача изобретения авторов: упрощение (удешевление) «Способа изготовления биполярного транзистора со статической индукцией» с заданными электрическими характеристиками — путём использования «толстого окисла» (в качестве «маскирующего покрытия») при формировании области «эмиттера».

Сущность своего изобретения авторы поясняют фигурами [среди которых — фиг. 1-4 (см. ниже — последовательно)]:

На данных фигурах представлены: А) на фиг. 1 – «подложка» («n-типа» проводимости) (1) с выращенной на ней «эпитаксиальной плёнкой» (2); Б) на фиг. 2 – «структура» (изображённая на фиг. 1) [но: а) с нанесенными слоями «оксида кремния» (3) и «нитрида кремния» (4); б) с вытравленными участками «окисла», «нитрида» и «кремния»; в) со слаболегированными областями («p-типа» проводимости) «базы» и «охранного кольца» (5); в) с высоколегированными областями «омических контактов» («p+-типа» проводимости) к «базе» и в области «охранного кольца» (6)]; В)_на фиг. 3 — та же «структура» (со сформированным в областях «вытравленного кремния» «толстым окислом» (7) и высоколегированной областью «эмиттера» «n+-типа» проводимости) (8); Г) на фиг. 4 – «структура» [со сформированной областью «поликремниевого контакта» к «эмиттеру» (9) и со сформированными «металлическими контактами» к высоколегированным областям «базы» и «эмиттера» (10), а также — к области «коллектора» (11)].

На фиг. 5-9 (см. оригинал патента) приведена последовательность операций формирования «биполярного транзистора» (со «статической индукцией»), полученного в процессе производства.

[См. (в оригинале описания изобретения к данному патенту) подробное ознакомление с фигурами авторов].