Импульсный источник плазмы (вакуумно-дуговой, с «протяженным торцевым расходуемым катодом», длительно функционирующий, с высокой вероятностью поджига — более 98 %, имеющий достаточно «равномерную выработку расходуемого катода», обеспечивающий увеличение размеров зоны эффективного осаждения генерируемых импульсных плазменных потоков) создали ученые из Физико-технического института Национальной академии наук Беларуси (патент Республики Беларусь на изобретение №16199, МПК (2006.01): H05H1/24, C23C14/24; авторы изобретения: С.Селифанов, О.Селифанов; заявитель и патентообладатель: отмеченное выше Государственное научное учреждение). Импульсные потоки плазмы, генерируемые запатентованным устройством, можно с успехом  использовать в технологиях нанесении наноструктурных тонких пленок и покрытий различного функционального назначения.

Как справедливо отмечают авторы, отсутствие научно-технических публикаций, дающих представление об импульсном вакуумно-дуговом источнике плазмы с вышеперечисленными характеристиками, подтверждает новизну предложенного технического решения.

Подчеркивается, что устройство источника плазмы новой конструкции, в которой «электроразрядная система имеет анод во фланцевом исполнении», может быть использовано в составе любой вакуумной установки, имеющей «присоединительный фланец» приемлемых размеров и форм. Устройство прошло испытания в вакуумных установках типа «УВНИПА-1-001» и «УВНИПА-1-002» для нанесения тонкопленочных износостойких и трибологических покрытий.