Повысили чувствительность сенсоров на основе полупроводниковых материалов In2O3-SnO2 к обнаружению различных газов (без использования солей благородных металлов) путем целенаправленного формирования наноструктуры композита с требуемыми адсорбционно-химическими и электрофизическими свойствами ученые из Научно-исследовательского института физико-химических проблем (патент Республики Беларусь на изобретение № 18276, МПК (2006.01): C 04B 35/624, G 01N 27/12, B 82Y 30/00; авторы изобретения: М.Ивановская, Е.Оводок, Д.Котиков; заявитель и патентообладатель: вышеотмеченное Учреждение БГУ).

Изобретение относится к области синтеза наноматериалов с требуемой структурой, определяющей их функциональные характеристики в качестве газочувствительных материалов резистивных полупроводниковых сенсоров, и может быть использовано для изготовления сенсоров для обнаружения газов различной химической природы в воздухе.

Приведенные авторами экспериментальные данные свидетельствуют о более высокой пороговой чувствительности и больших выходных сигналов сенсоров на основе нанокомпозитов In2O3-SnO2, полученных по заявленному способу, по сравнению с известными составами на основе In2O3-SnO2 и SnO2-Pd. Достигнут положительной эффект увеличения чувствительности без применения благородных металлов, что снижает стоимость сенсоров и обеспечивает более длительную их эксплуатацию без потери газочувствительных характеристик.