Изобретение относится к электронной технике, а именно — к процессам «ионной имплантации» кремниевых пластин ионами «бора» и «фосфора». Они используются для создания активных элементов при производстве интегральных микросхем (ИМС).

Как поясняют авторы, в современной технологии изготовления ИМС метод «ионной имплантации» рассматривается как наиболее перспективный метод формирования «электронно-дырочных структур» («p-n» переходов) при создании активных элементов ИМС. К преимуществам метода «ионной имплантации» относятся: а) универсальность (возможность внедрения в поверхность кремниевой пластины любой примеси); б) локальность воздействия (возможность внедрения примеси в области с микронными и субмикронными размерами); в) отсутствие нагрева пластины во время «процесса»; г) возможность строгого дозирования «примеси»; д) возможность управления глубиной внедрения примеси; е) высокая чистота вводимой в кремний примеси.

Изобретение авторов решило задачу разработки «Способа проведения процесса ионной имплантации кремниевой пластины при производстве интегральных микросхем»: 1) обеспечивающего достоверность и воспроизводимость результатов определения «дозы имплантации» в кремниевую пластину ионов «бора» или «фосфора»; 2) приводящего к улучшению качества ИМС (за счёт исключения дальнейшего прохождения по «маршруту» пластин с неправильно выбранной «дозой имплантации»; 3) повышающего выход годных ИМС.

Сущность изобретения авторов заключается в следующем: 1) осуществляют «имплантацию» в кремниевую пластину ионов «бора» или «фосфора»; 2) выполняют быстрый термический отжиг упомянутой пластины; 3) измеряют поверхностное сопротивление пластины; 4) выполняют [«ионной имплантацией» (дополнительно в течение от 30 до 60 секунд)] быстрый термический отжиг упомянутой кремниевой пластины при температуре от 650 до 750 °С (в среде азота).