Тонкопленочные резисторные структуры с различными физическими свойствами умеют получать в Физико-техническом институте Национальной академии наук Беларуси. На данную разработку ученых выдан отечественный патент на изобретение №14221, МПК (2009): H01C17/075, C23C16/22 (авторы изобретения: Р.Грицкевич, Н.Поклонский, Н.Горбачук, Е.Шпак; заявитель и патентообладатель: это Государственное научное учреждение).

Предложенный способ получения тонкопленочных резисторных структур включает нанесение на подложку диэлектрической алмазоподобной углеродной пленки и ионную «бомбардировку» ее поверхности. Особенностью способа является то, что предварительно на подложку наносят адгезионный подслой, а ионную «бомбардировку» осуществляют ионами инертного газа и/или азота с энергией в диапазоне 1—3 кэВ. В качестве адгезионного подслоя используют кремнийсодержащее вещество, а в качестве инертного газа — аргон. Подложки могут быть диэлектрическими, металлическими или полупроводниковыми.

 

Поясняется, что кремний содержащий подслой обеспечивает высокую адгезионную связь как с алмазоподобной углеродной пленкой, так и с большинством материалов, используемых в микроэлектронике, за счет химического взаимодействия с ними. Указанный диапазон энергий ионов, не вызывая заметного распыления указанной пленки, приводит к трансформации ее поверхностного слоя в электропроводящую углеродную фазу.

Все полученные заявляемым способом тонкопленочные резисторные структуры, как показали авторы, имеют линейную и симметричную вольтамперную характеристику. Энергия активации их электрической проводимости не превышает 0,03 эВ.

Обозревал белорусские патенты Анатолий ПРИЩЕПОВ,

физик, изобретатель, патентовед

 (тел. в Беларуси 8 025 683 76 71)