Разработка белорусских специалистов — «Раствор для электрохимического осаждения композиционного покрытия никель-алмаз-углеродное нановолокно на корпусные алмазные режущие диски» — запатентована в родном отечестве (патент на изобретение № 19486, МПК (2006.01): C 25D 15/00, C 25D 3/12, B 82Y 30/00; авторы изобретения: В.Васильев, И.Гайдук, Л.Цыбульская, Г.Ковальчук, С.Школык, Ю.Бекиш, Т.Гаевская; заявители и патентообладатели: Учреждение Белорусского государственного университета «Научно—исследовательский институт физико—химических проблем», Научно—производственное республиканское унитарное предприятие «КБТЭМ—СО»).

Изобретение относится к области гальванотехники, в частности — к электрохимическому осаждению композиционного покрытия на основе никеля, содержащего частицы синтетического алмазного порошка и углеродного нановолокна. Оно может быть использовано для получения сверхтонких алмазсодержащих дисков для разделения подложек из полупроводниковых, сверхтвердых и керамических материалов в изделиях радиоэлектроники и приборостроения.

Предложенный раствор для электрохимического осаждения композиционного покрытия на корпусные алмазные режущие диски содержит в своем составе: 1) никель сернокислый семиводный, 2) никель хлористый шестиводный, 3) борную кислоту, 4) алмаз дисперсностью 0,5-40,0 мкм, 5) добавки («ЭПИ-Никель 757 С» и «ЭПИ-Никель 757 Б»), 6) углеродное нановолокно, 7) воду деионизованную. Всё — при определенном и тщательно выверенном соотношении ингредиентов.

Авторами показано, что, применяя данное изобретение по назначению, можно получить композиционное электрохимическое покрытие (КЭП) (его толщина 20-200 мкм) с большим объемным и поверхностным содержанием алмаза. Предложенное качественное и количественное сочетание указанных ингредиентов позволяет получать КЭП с более высокими значениями эластичности, микротвердости и износостойкости, а также с более низким коэффициентом трения, обеспечивая, таким образом, более качественное разделение подложек из полупроводниковых, сверхтвердых и керамических материалов в изделиях радиоэлектроники и приборостроения.